国产GaN氮化镓研发取得突破创新：12月底试产
发布时间：2021-11-19 18:44:54 所属栏目：大数据 来源：互联网
导读：国产GaN氮化镓研发取得突破进展：12月底试产 陈钰林分别从企业介绍、GaN在快充市场的机会、高频高效快充方案挑战点三个角度入手，给行业工程师们分享了有关GaN的相关知识。 GaN被誉为继第一代Ge、Si半导体材料，第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代
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国产GaN氮化镓研发取得突破进展：12月底试产 陈钰林分别从企业介绍、GaN在快充市场的机会、高频高效快充方案挑战点三个角度入手，给行业工程师们分享了有关GaN的相关知识。 GaN被誉为继第一代Ge、Si半导体材料，第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，在光电子、大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。 国产GaN氮化镓研发取得突破进展：12月底试产 陈钰林透露，国产GaN研发取得突破进展，100V、150V、650V三个GaN新品将于2018年12月底试产，2019年正式量产。目前，英诺赛科已有5个产品（40V、60V、100V等）实现小批量生产并有接到订单，这些产品均采用了目前行业领先的8寸Fab产线制造。 国产GaN氮化镓研发取得突破进展：12月底试产 目前英诺赛科采用IDM全产业链模式，国内首家自建8寸晶圆厂用于GaN的产业配套，成功建立了一条涵盖研发、设计、生产、测试、销售、市场、技术支持等在内完整的GaN产业链。产品包括30V到650V的功率器件，功率模块，及射频器件等，将在5G通信，新能源汽车，智能制造，人工智能，大数据中心等战略新兴领域拥有巨大的优势和发展空间。 国产GaN氮化镓研发取得突破进展：12月底试产 现场，英诺赛科展示了最新的15W车载充电器应用案例，通过跟传统方案对比发现，具有体积小、效率高等特色，这个正是基于量产的GaN进行开发设计。 除了车载充电器应用，氮化镓在大功率快充充电器的应用可谓吸引了全球眼球，高速高频高效让大功率USB PD充电器不再是魁梧砖块，小巧的体积一样可以实现大功率输出，比APPLE原厂30W充电器更小更轻便。 国产GaN氮化镓研发取得突破进展：12月底试产 将内置氮化镓充电器与传统充电器并排放在一起看看，内置氮化镓充电器输出功率达到27W，APPLE USB-C充电器输出功率30W，两者功率相差不大，但体积上却是完全不同的级别，内置氮化镓充电器比苹果充电器体积小40%。  （编辑：荆门站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
